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碳化硅SiC和氮化硅Si3N4，二者都有共价的三维晶格结构，它们能以a和B两种结晶态存在。它们因为有这种结构，都是很坚硬的物质，在很高的温度下也是稳定的，氮化硅是电的优良绝缘体，而碳化硅晶格有能量较低的导带(在298K的能隙是2.86eV),使它有半导体性质。碳化硅的外观因纯度不同而变化，从几乎无色到淡黄、绿或黑色。在自然界它只存在于亚里桑那(Arizona)陨铁中的碳硅石里。它在1891年首先由艾奇逊(Acheson)制得，他了它，并成立了碳化硅公司。在1670K的高温下将碳和硅一起强热，可以制得B型(立方体)的碳化硅。它有金刚石的晶体结构，只是其中相间的碳原子用硅原子取代,这种结构能说明它有较高硬度(在矾土和金刚石之间),使它广泛用作磨料。碳化硅有很大的化学价性，对氧化和热震动都稳定。B型碳化硅对热稳定直到2400K,这时它变成a碳化硅。它跟B型碳化硅有很相似的晶格结构和性质。但有相同晶胞的不同堆砌顺序。a型碳化硅在2670K时还是稳定的，温度再高，就分解成元素。

碳化硅制品的导电性具有实际的意义，因为在许多情况下要求碳化硅具有电气绝缘性能。通常碳化硅具有较高的电阻，其数值随着温度升高而有所减少。液相的生成对上述情况有显著的促进作用，由于电离作用，液相的特点是导电性高。尤其当温度高于1000℃时，导电性开始显著地提高，除了铬质及碳化硅质制品于1000-1500℃时其电阻低以外，大多数工业耐火材料于1000℃时的电阻为10000-100000欧姆·厘米。用普通陶瓷法制造的碳化硅质耐火材料中，电限小的是以二氧化硅为结合剂的制品。

当碳化硅粘土制品的配料中碳化硅组分的颗粒组成一定时，其气孔率取决于其中粘土的含量。碳化硅的中间颗粒为40%，当用增减粗颗粒的方法来保证碳化硅细颗粒含量的变化范围为20-40%时，则制品气孔率的波动不明显。此时若将粘土的含量从3%增加至12%，则气孔率有规律地降低。将碳化硅中间颗粒含量降低至30%时，并不会影响由于增加粘土加入量而降低制品气孔率的有效作用。在下列情况下气孔率低:碳化硅的细颗粒含量为40-50%及加入粘土3%;细颗粒含量30-40%及加入粘土6%;细颗粒含量20-30%及加入粘土12%。若进一步将碳化硅中间颗粒含量降低到20%时，在下列情况下可以制得气孔率低的制品:碳化硅细颗粒含量50%及加人钻粘土3%;碳化硅细颗粒30%及加入粘土6%;碳化硅细颗粒20%及加入粘土12%。当碳化硅的中间颗粒含量为10%时，其规律性与上述情况相同。